반도체 제조용 PSA 산소 플랜트
청정: 98%-99.5%
반도체 제조 기술 지표용 산소 발생기
산소 순도:반도체 제조에는 일반적으로 반도체 제품의 품질과 성능을 보장하기 위해 99.999% 이상의 초고순도 산소가 필요합니다.
산소 유량:반도체 제조의 생산 규모 및 공정 요구 사항에 따라 PSA 산소 장비는 생산 공정에서 지속적인 산소 수요를 충족하기 위해 안정적인 산소 유량을 제공해야 합니다.
이슬점 온도:산소 중의 수분 함량은 극히 낮은 것이 요구되며, 반도체 제조 공정에 수분이 악영향을 미치는 것을 방지하기 위해서는 일반적으로 이슬점 온도를 - 60도 이하로 낮추는 것이 필요합니다.
입자 불순물 함량:산소 중의 미립자 불순물 함량은 반도체 칩 표면에 결함을 일으키는 미립자 불순물을 방지하기 위해 엄격하게 제어되어야 하며 일반적으로 0.1 미크론 미만이어야 합니다.
PSA 산소 플랜트를 갖춘 PSA 산소 발생기
산화는 반도체 제조의 여러 공정 링크에서 기본적이고 중요한 단계입니다. 예를 들어 실리콘 웨이퍼의 산화 공정에서는 이산화규소(SiO2)층을 형성하기 위해 고순도 산소가 필요하다. 이 이산화규소 층은 절연층으로 사용되거나 후속 공정을 위한 마스크로 사용될 수 있습니다. PSA 산소 장비에서 제공되는 고순도 산소(보통 최대 99.999% 이상의 순도)는 산화 반응의 정확성과 안정성을 보장하여 생성된 이산화규소 층이 균일한 품질과 정밀한 두께를 갖도록 합니다. 고성능 반도체 장치(예: 집적 회로의 트랜지스터) 제조에 매우 중요합니다.
NTK93 시리즈 PSA 산소 플랜트 모델 선택 |
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아니요. |
모델 |
용량(Nm3/hr) |
청정 |
생산된 1Nm3 산소의 전력 소비량(kw/h) |
12시간 동안 채워진 병의 수(개) |
운영자 필요 |
| 1 | NTK-5P | 5 | 93%+-3% | 3.54 | 10 | 2 |
| 2 | NTK-10P | 10 | 93%+-3% | 2.52 | 20 | 2 |
| 3 | NTK-15P | 15 | 93%+-3% | 2.31 | 30 | 2 |
| 4 | NTK-20P | 20 | 93%+-3% | 2.13 | 40 | 2 |
| 5 | NTK-25P | 25 | 93%+-3% | 2.01 | 50 | 2 |
| 6 | NTK-30P | 30 | 93%+-3% | 2.09 | 60 | 2 |
| 7 | NTK-40P | 40 | 93%+-3% | 1.81 | 80 | 2 |
| 8 | NTK-50P | 50 | 93%+-3% | 1.94 | 100 | 2 |
| 9 | NTK-60P | 60 | 93%+-3% | 1.62 | 120 | 2 |
| 10 | NTK-80P | 80 | 93%+-3% | 1.92 | 160 | 2 |
| 11 | NTK-100P | 100 | 93%+-3% | 1.83 | 200 | 2 |
| 설계 기준: 고도: 500m 이하;RH: 80% 이하; 온도: 0도 -38도 ;충진 압력: 150Bar 40L 유형 표준 실린더 | ||||||
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